Les performances obtenues en multicouches ces dernieres annees ont montre l'interet des films minces qui presentent des proprietes thermoelectriques nettement plus importantes que celles obtenues dans les materiaux massifs. Nous avons choisi de developper des couches minces thermoelectriques de type Mg2Si1-xSnx connus par leurs bonnes performances a l'etat massif a des hautes temperatures, cependant peux etudies en couches minces. Nous montrerons qu'il est possible a partir de calculs de structure electronique portant sur le dopage de Mg2Si et des donnees bibliographiques d'envisager l'elaboration de couches minces de Mg2Sn dope p et n. Nous aborderons les resultats experimentaux obtenus de l'etude des depots elabores par la technique de pulverisation cathodique PAPVD. Le but recherche etant la realisation des couches minces de proprietes thermoelectriques plus performants."